그림까지 ...감동입니다. ^^
일단 출력단 케소드 저항은 820R/5W, 반고장 저항은 10K로 했습니다. 플레이트 전압은 266V정도입니다. 현재..결과는 게인이 너무 큽니다. 찌그러짐이...흑흑.
JFET이 IDSS 전류량이 제일 크걸로 썼습니다. 원회로는 가장 작은 전류값.
각부이 전압은 다 맞추어집니다. 그런데, 와이리 게인이 큰지..

  원도에는 6SN7을 한알씩 묶어서 쓰기에, 게인을 줄여본다고 U7을(반알) 써보았는데요. 게인은 죽어도 여전히 찌그러집니다.

그리고, 반고정 저항 양단에 1.3V 걸려야 정상아닌지요? 2K짜리 쓰면 거의 0.2~0.3V 걸립니다.

  반고정 저항(10K)을 접지에 붙이면 동작 전압이 나옵니다. 그럼 콘덴서는 무슨 역할을 하는지 모르겠습니다.
접지에서 떨어질려면, 초단 케소드저항이 ( ~8.2K)하는데요..그럼, 찌그러짐이 더 한듯 합니다.

게인이 이전에는 프리볼륨 12시에 나던 음량이 지금은 8시정도면 납니다.