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모찌 04-01-25 19:29 1. 부하저항은 내부저항의 3~10배정도 사이에서 구하지만.. 개략 3배쪽을 기준으로 하시면 됩니다. 어떤관에 제일 좋은 부하저항 값은 로드저항값을 곡선위에 그려보심 아실수 있는데 전류대비 접압값값의 곡선을 가능한한 균등하도록 부하곡선이 지나가는 기울기가 제일 좋은 값이 됩니다. 부하저항값이 크면 이저항 양단에 전압드롭이 같이 커진다는점도 고려해야하구요. 부하저항값의 기울기가 커지면 커질수록 증폭률또한 커지게 됩니다. 액티브로드는 기울기가 0에 가깝죠.. 관이 가진증폭률 모두 나오게 되는 상태가 됩니다. 2, Vg는 입력쪽의 AC신호가 얼마가 들어올지를 좀 고려해야하는데 일반적은 부하곡선의 중간지점쯤에 흘리는 전류값과 Vg를 동시에 읽으면됩니다. 3, B+전압은 Va+Ia x 부하저항 양단에 드롭되는 전압의 합이상되어야 하고 엄밀히는 캐소드에 고정저항으로 Vg를 만들어내는 전압을 또 플러스 해줘야 합니다. 소신호용으로 사용할때는 이전압은 워낙 작아서 무시해도 될정도입니다만 출력관에는 제법커서 계산을 같이 해줘야합니다. 그래야 정상적인 Va가 걸리게되죠 (소리는 여전히 날겁니다. 설령잘못 계산했다 하드라도) 그리고 포화영역은 그라프에서 관이 가진 플레이트 손실 경계를 알수 있도록 점선으로 표시되어 있읍니다. 소신호쪽은 이경계까지 사용하는 경우 있지만 출력관은 그렇게 동작 시키기가 쉽지 않읍니다. (관이 가격을 생각해보면....) 부하로드저항값과 출력트랜스의 부하를 정량적으로 계산할수 있는 방법이 있는지 모르겠지만 관이 실제 절량화하는 계산치대로 동작하지 않읍니다. 공산품이긴 하나 편차가 심하고 게산 열심히 해도 안맞는 경우 많지요. 그런경운 그라프의 기울기 자체가 스펙에 나와 있는 것과 다르기 때문입니다. TR이나 FET가 스펙에 나와 있는 대로 전류 바이어스가 정확히 동작하지 않잔읍니까? 만일 다 똑같이 동작한다면 컴 칩을 선별할 필요가 없고 소자를 인위적으로 선별하거나 매치시키기위해 노력하지 않아도 됩니다. 현실은 그게 안되죠. 디지털 신호처럼 0 아니면 1 그게 오디오에선 잘안됩니다. 3. Vg의 전압은 그리드의 전압이 캐소드에서 발생하는 전압값과 상대적인 전위차입니다. 자기 바이어스라 불리는 방법은 캐소드에 고정저항을 달아 전위차를 만들어 그리드(이론상 영) 보다 전압을 높혀주는 거죠 그럼 그리드엔 -전압만큼 바이어스가 걸리는 것입니다. 픽스드바이어스는 캐소드에 저항 달지 않구 캐소드에서 어스로 쇼트시키고 그리드에 -전압을 직접거는겁니다. 어떻게 거내구여? 전원을 -전압이 나오도록 해서 연결하는거져 머 건전지같은것도 사요합니다. 1. 부하저항은 내부저항의 3~10배정도 사이에서 구하지만.. 개략 3배쪽을 기준으로 하시면 됩니다. 어떤관에 제일 좋은 부하저항 값은 로드저항값을 곡선위에 그려보심 아실수 있는데 전류대비 접압값값의 곡선을 가능한한 균등하도록 부하곡선이 지나가는 기울기가 제일 좋은 값이 됩니다. 부하저항값이 크면 이저항 양단에 전압드롭이 같이 커진다는점도 고려해야하구요. 부하저항값의 기울기가 커지면 커질수록 증폭률또한 커지게 됩니다. 액티브로드는 기울기가 0에 가깝죠.. 관이 가진증폭률 모두 나오게 되는 상태가 됩니다. 2, Vg는 입력쪽의 AC신호가 얼마가 들어올지를 좀 고려해야하는데 일반적은 부하곡선의 중간지점쯤에 흘리는 전류값과 Vg를 동시에 읽으면됩니다. 3, B+전압은 Va+Ia x 부하저항 양단에 드롭되는 전압의 합이상되어야 하고 엄밀히는 캐소드에 고정저항으로 Vg를 만들어내는 전압을 또 플러스 해줘야 합니다. 소신호용으로 사용할때는 이전압은 워낙 작아서 무시해도 될정도입니다만 출력관에는 제법커서 계산을 같이 해줘야합니다. 그래야 정상적인 Va가 걸리게되죠 (소리는 여전히 날겁니다. 설령잘못 계산했다 하드라도) 그리고 포화영역은 그라프에서 관이 가진 플레이트 손실 경계를 알수 있도록 점선으로 표시되어 있읍니다. 소신호쪽은 이경계까지 사용하는 경우 있지만 출력관은 그렇게 동작 시키기가 쉽지 않읍니다. (관이 가격을 생각해보면....) 부하로드저항값과 출력트랜스의 부하를 정량적으로 계산할수 있는 방법이 있는지 모르겠지만 관이 실제 절량화하는 계산치대로 동작하지 않읍니다. 공산품이긴 하나 편차가 심하고 게산 열심히 해도 안맞는 경우 많지요. 그런경운 그라프의 기울기 자체가 스펙에 나와 있는 것과 다르기 때문입니다. TR이나 FET가 스펙에 나와 있는 대로 전류 바이어스가 정확히 동작하지 않잔읍니까? 만일 다 똑같이 동작한다면 컴 칩을 선별할 필요가 없고 소자를 인위적으로 선별하거나 매치시키기위해 노력하지 않아도 됩니다. 현실은 그게 안되죠. 디지털 신호처럼 0 아니면 1 그게 오디오에선 잘안됩니다. 3. Vg의 전압은 그리드의 전압이 캐소드에서 발생하는 전압값과 상대적인 전위차입니다. 자기 바이어스라 불리는 방법은 캐소드에 고정저항을 달아 전위차를 만들어 그리드(이론상 영) 보다 전압을 높혀주는 거죠 그럼 그리드엔 -전압만큼 바이어스가 걸리는 것입니다. 픽스드바이어스는 캐소드에 저항 달지 않구 캐소드에서 어스로 쇼트시키고 그리드에 -전압을 직접거는겁니다. 어떻게 거내구여? 전원을 -전압이 나오도록 해서 연결하는거져 머 건전지같은것도 사요합니다.



초주금 04-01-26 07:39 다른 회로를 분석할 것이 아니라면, Pv(Plate - Kathode간 전압)과 Vg(그리드전압)을 한꺼번에 구한후... Vg와 Pv로 결정된 전류로 옴의 법칙을 이용하여 Rk를 구하여야 합니다. 물론 자기바이어스일 경우죠. 그리고 나서 Rl에 의한 전압강하를 고려하여 B+를 결정합니다. 이렇게 결정하다보면 모찌님이 설명하신 Vg가 Vk와 상대적인 전압이기 때문에 케소드 바이어스에서 그리드의 전위를 어스와 같게 만들어주는 Rg를 생략하기 쉬운데, 자기바이어스에서 Rg를 빼먹으면, 관이 손상될 경우가 많습니다. Vg가 전단의 Pv에 맞춰지게 되어 Vg가 점점 증가하게 되고, 덩달아 Vk도 Vg에 맞추려고 Vg보다 높은 전위가 되기 위해 점점 높아집니다.. 그러다가 소리가 점점 작아지면서 관의 특성이 변하게 되어 다른것과 페어가 맞지 않게 되더군요.. ㅜ.ㅡ 다른 회로를 분석할 것이 아니라면, Pv(Plate - Kathode간 전압)과 Vg(그리드전압)을 한꺼번에 구한후... Vg와 Pv로 결정된 전류로 옴의 법칙을 이용하여 Rk를 구하여야 합니다. 물론 자기바이어스일 경우죠. 그리고 나서 Rl에 의한 전압강하를 고려하여 B+를 결정합니다. 이렇게 결정하다보면 모찌님이 설명하신 Vg가 Vk와 상대적인 전압이기 때문에 케소드 바이어스에서 그리드의 전위를 어스와 같게 만들어주는 Rg를 생략하기 쉬운데, 자기바이어스에서 Rg를 빼먹으면, 관이 손상될 경우가 많습니다. Vg가 전단의 Pv에 맞춰지게 되어 Vg가 점점 증가하게 되고, 덩달아 Vk도 Vg에 맞추려고 Vg보다 높은 전위가 되기 위해 점점 높아집니다.. 그러다가 소리가 점점 작아지면서 관의 특성이 변하게 되어 다른것과 페어가 맞지 않게 되더군요.. ㅜ.ㅡ



손상목 04-01-26 10:59 친절한 설명에 감사드립니다. 자기 바이어스를 만들어 내기 위한 Vg와 Vk간의 전위차를 만들기 위해서 저항을 달때 저항 값을 구하는 대략의 식은 언급했듯이 Plate상의 전압/전류를 Cathode상의 전압/전류와 같다고 가정하고 구하는것 같던데요... 이렇게 해서 전압강하가 Cathode저항사이에서 발생하면 결과적으로 B+ 전압은 Ia(RL+Rk) 가 될것이고, 결국 이것은 처음에 IaRL + Va 와 같아 지는것이 아닌지요.. 그럼 별도의 자기 바이어스로 인한 B+값에 가감이 필요없지 않을까 싶은데요.. 위에 말씀의 요는 Ia(RL+Rk) + Va를 해주어야 한다는 말씀이신 거죠.. Rk를 구할때 Va를 근거로 만들었으니. IaRL +2Va로 해서 B+을 구해도 되는지요... 물론 Rk를 구하는 방식이 다르면 IaRL +2Va 이란 결론이 틀려질 수 있지만요.. 그리고 고수님들께서 말씀해주신 그리드의 전위를 어스로 만들어서 Cathode의 전압을 Rk를 걸어서 상대적으로 낮게 해주면 그리드에 -Vg가 걸린다는 말은 잘 이해가 되었습니다. Vg전위를 0으로 하려면 접지를 거는 것이 보통의 방법으로 예상되는데.. 실제로 보면 초주금님 말씀하신 것 처럼 Rg를 걸더군요... 이번 공제한 EL34의 경우 초단에 100K가변저항(Rg의 용도인지는 몰겠지만... ),출력단엔.. 470KOhm(?)을 걸었는데.. 그렇다면 Rg값을 결정하는 방법도 중요할거 같은데요. Rg는 어떤식으로 구하게 되는지요... 전위차를 -Vg만큼 만들려면.. Rg와 Rk값을 잘 결정하는것이 중요할 것 같은데요.. 그리고 TR에서 야그하는 Emitter단의 안정화저항의 역할도 Rk가 같이 제공해 주는건지요... 친절한 설명에 감사드립니다. 자기 바이어스를 만들어 내기 위한 Vg와 Vk간의 전위차를 만들기 위해서 저항을 달때 저항 값을 구하는 대략의 식은 언급했듯이 Plate상의 전압/전류를 Cathode상의 전압/전류와 같다고 가정하고 구하는것 같던데요... 이렇게 해서 전압강하가 Cathode저항사이에서 발생하면 결과적으로 B+ 전압은 Ia(RL+Rk) 가 될것이고, 결국 이것은 처음에 IaRL + Va 와 같아 지는것이 아닌지요.. 그럼 별도의 자기 바이어스로 인한 B+값에 가감이 필요없지 않을까 싶은데요.. 위에 말씀의 요는 Ia(RL+Rk) + Va를 해주어야 한다는 말씀이신 거죠.. Rk를 구할때 Va를 근거로 만들었으니. IaRL +2Va로 해서 B+을 구해도 되는지요... 물론 Rk를 구하는 방식이 다르면 IaRL +2Va 이란 결론이 틀려질 수 있지만요.. 그리고 고수님들께서 말씀해주신 그리드의 전위를 어스로 만들어서 Cathode의 전압을 Rk를 걸어서 상대적으로 낮게 해주면 그리드에 -Vg가 걸린다는 말은 잘 이해가 되었습니다. Vg전위를 0으로 하려면 접지를 거는 것이 보통의 방법으로 예상되는데.. 실제로 보면 초주금님 말씀하신 것 처럼 Rg를 걸더군요... 이번 공제한 EL34의 경우 초단에 100K가변저항(Rg의 용도인지는 몰겠지만... ),출력단엔.. 470KOhm(?)을 걸었는데.. 그렇다면 Rg값을 결정하는 방법도 중요할거 같은데요. Rg는 어떤식으로 구하게 되는지요... 전위차를 -Vg만큼 만들려면.. Rg와 Rk값을 잘 결정하는것이 중요할 것 같은데요.. 그리고 TR에서 야그하는 Emitter단의 안정화저항의 역할도 Rk가 같이 제공해 주는건지요...