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 음질에 영향을 줄 정도는 아니지만 B전압에 수백kHz대역의 발진이
 발견됩니다.
 리플의 크기 2V 이내입니다.

 두개의 EL509사이의 150오옴 저항을 없애면 많아지고 저항을 넣으면
 아주 작아집니다.(약 0.5V정도)

 아마도 제2그리드에 걸리는 리플이 공통이고, 두개의 EL509의 언밸런스
 땜에 발생하는게 아닌가 하는 생각이 듭니다.

 처음 2개의 EL509가 달궈지기전 전류가 70~80mA정도 흐를때는
 (이때 VR관도 밝게 점화) 리플도 작아지고 발진현상도 없습니다.

 앞단의 새로 주문할 쵸크의 DCR을 약 50~60오옴 정도로 낮추어 인가전압을
 약 20V 올리려 합니다.

 이때 아래회로에서 전류량이 조금 증가하고 전압이 조금 내려가게
 됩니다....

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 처음 설계시와 결과가 거의 일치합니다.

 전원트랜스의 전압강하폭을 설계때에 너무 적게 생각하여 (약 20V)
 전압이 낮아졌습니다.
 그리고 VR관의 전압이 정격보다 조금(약5%) 높게 나옵니다...

 앞단 쵸크의 헨리값과 DCR을 낮추어 처음 설계시의 전압에
 근접시키려 합니다.
 
 쵸크의 헨리값을 더 높이면 좋겠지만 크기때문에 96코어로
 제한했습니다.

 생각했던것 보다 Shunt의 리플 억제 능력은 우수하게 보입니다.
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