Vds가 낮은 상태 즉 saturation 전상태(각 Vgs 값의 커브밑의) 의 Mosfet 의 저항은-->

IRF820 data sheet 자세히 보니

Vgs 10V 로 on상태시  Drain to Source R이 약 3옴입니다.

만약 이렇케 3옴 이라 가정하몬 G Pimm의 밧데리 CCS인 경우(게리핌 사이트 회로) saturation 되기전 상태(한계전류치 이하의상태)에서는

 R of IRF820 (3) + R of IRF820 (3) + variable R1a(>1k) + R1b(1k) --> 1~2k 사이의 저항으로 역활 할 것으로 생각합니다.

  오류 수정

Vds가 낮은 상태 즉 saturation 전상태 --> saturation 전상태